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碳化硅石墨坩堝是以天然鱗片石墨、碳化硅顆粒為主要成分制成的有色金屬熔煉器具，該坩堝結(jié)合石墨的高導熱性與碳化硅的耐磨性，具有導熱快、耐熱沖擊性強、抗熔湯侵蝕等特性，可在400-1700℃環(huán)境下使用，壽命較普通粘土石墨坩堝提高2至5倍 。產(chǎn)品采用等靜壓成型工藝制造，適用于鋁、鋅合金等有色金屬熔煉。理化指標

一、 物理指標 Physical Data：

體積密度 Bulk Density

2.21——2.25 g/cm³

顯氣孔率 Apparent Ｐorosity

9——12％

抗折強度 Modulus of Rupture     

8——12 Mpa

熱膨脹系數(shù) Thermal Expansion Coefficient

3.0——4.5 (10^-6 K-1 )

電阻率 Special Electrical Resistance

3.5——4.5*10^-3 Ω.CM (24 °C)

3.0——4.0*10^-3 Ω.CM（800 °C）

導熱率 Thermal Conductivity

140—150 W/(m*K) (25 °C)

40—50 W/(m*K) (800 °C)

二、化學指標 Chemical Analysis：

C (free C ) 37—42%

SiC (silicon carbide) 35—40%

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理化指標

一、 物理指標 Physical Data：

體積密度 Bulk Density

2.21——2.25 g/cm³

顯氣孔率 Apparent Ｐorosity

9——12％

抗折強度 Modulus of Rupture     

8——12 Mpa

熱膨脹系數(shù) Thermal Expansion Coefficient

3.0——4.5 (10^-6 K-1 )

電阻率 Special Electrical Resistance

3.5——4.5*10^-3 Ω.CM (24 °C)

3.0——4.0*10^-3 Ω.CM（800 °C）

導熱率 Thermal Conductivity

140—150 W/(m*K) (25 °C)

40—50 W/(m*K) (800 °C)

二、化學指標 Chemical Analysis：

C (free C ) 37—42%

SiC (silicon carbide) 35—40%

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